课程代码：02234

一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分）

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1.在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　）

A.本征半导体 B.温度

C.杂质浓度 D.掺杂工艺

2.理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　　　）

A.V截止U0＝－10V

B.V截止U0＝－3V

C.V导通U0＝－10V

D.V导通U0＝－6V

3.某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　）

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.状态不能确定

4.FET的转移特性如题4图所示，则该管为（　　　）

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

5.下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　）

A.共射组态 B.共基组态

C.共集组态 D.共漏组态

6.某单级放大电路的通频带为 ，由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路，其总的通频带 应是（　　　）

A. ＝2 B. >

C. >2 D. <

7.若要求放大电路取用信号源的电流小，而且带负载能力强，在放大电路中应引入的负反馈类型为（　　　）

A.电流串联 B.电压串联

C.电流并联 D.电压并联

8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波，主要是依靠振荡器中的（　　　）

A.正反馈环节 B.稳幅环节

C.基本放大电路环节 D.选频网络环节

9.在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　　　）

A.10V B. V

C. V D.20V

10.下列数中，最大的数是（　　　）

A.（3D）16 B.（57）10

C.（65）8 D.（111010）2

11.逻辑函数F＝ 的反函数为（　　　）

A. B.

C. D.

12.逻辑函数F（A、B、C）＝m1+m3+m6+m7，其最简与或表达式为（　　　）

A.F＝AB＋ B.F＝A ＋ C

C.F＝ B＋ C D.F＝AB＋BC

13.逻辑函数F＝A ＋AB＋ C＋ACDEF的最简与或式为（　　　）

A.F＝A＋ C B.F＝A＋C

C.F＝A D.F＝AB

14.TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示，其输出函数F为（　　　）

A.F＝ABC＋

B.F＝ ＋DE