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2004年4月全国高等自学教育考试电子技术基础一试题

来源:湖北自考网 时间:2013-04-24 17:08:14

课程代码:02234

一、单项选择题(本大题共15小题,每小题2分,共30分)

在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。

1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(   )

A.本征半导体 B.温度

C.杂质浓度 D.掺杂工艺

2.理想二极管构成的电路如题2图所示,则(   )

A.V截止U0=-10V

B.V截止U0=-3V

C.V导通U0=-10V

D.V导通U0=-6V

3.某电路中晶体三极管的符号如题3图,测得各管脚电位标在图上,则该管处在(   )

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

D.状态不能确定

4.FET的转移特性如题4图所示,则该管为(   )

A.N沟道耗尽型

B.N沟道增强型

C.P沟道耗尽型

D.P沟道增强型

5.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选(   )

A.共射组态 B.共基组态

C.共集组态 D.共漏组态

6.某单级放大电路的通频带为 ,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总的通频带 应是(   )

A. =2 B. >

C. >2 D. <

7.若要求放大电路取用信号源的电流小,而且带负载能力强,在放大电路中应引入的负反馈类型为(   )

A.电流串联 B.电压串联

C.电流并联 D.电压并联

8.要想使振荡电路获得单一频率的正弦波,主要是依靠振荡器中的(   )

A.正反馈环节 B.稳幅环节

C.基本放大电路环节 D.选频网络环节

9.在单相桥式整流电路中,变压器次级电压为10V(有效值),则每只整流二极管承受的最大反向电压为(   )

A.10V B. V

C. V D.20V

10.下列数中,最大的数是(   )

A.(3D)16 B.(57)10

C.(65)8 D.(111010)2

11.逻辑函数F= 的反函数为(   )

A. B.

C. D.

12.逻辑函数F(A、B、C)=m1+m3+m6+m7,其最简与或表达式为(   )

A.F=AB+ B.F=A + C

C.F= B+ C D.F=AB+BC

13.逻辑函数F=A +AB+ C+ACDEF的最简与或式为(   )

A.F=A+ C B.F=A+C

C.F=A D.F=AB

14.TTL集电极开路门构成的电路如题14图所示,其输出函数F为(   )

A.F=ABC+

B.F= +DE

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  • 结束
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