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湖北自考2011年电子技术基础:存储器与可编程逻辑器件

来源: 整编:湖北自考网 发表时间:2011-05-04:12-00-00 【湖北自考网:湖北自学考试门户网】

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湖北自考2011年电子技术基础:存储器与可编程逻辑器件

  存储器与可编程逻辑器件

  (一)学习目的与要求

  通过本章的学习,理解RAM的结构,了解单管动态存储单元和静态存储单元的工作原理,了解固定ROM的结构,了解一次可编程PROM的编程概念,了解场效应管在EEPROM中的作用,了解可编程逻辑器件的类型。

  (二)课程内容

  第一节

  读写存储器RAM的结构(动态存储单元和静态存储单元的基本原理)。

  第二节

  只读存储器ROM的结构(一次可编程的PROM,可擦可写的EEPROM的工作原理)。

  第三节

  可编程逻辑器件的类型和结构,ispLSI1016的简介。

  (三)考核知识点

  1. 读写存储器的基本原理。

  2. 只读存储器的基本原理。

  (四)考核要求

  1. 读写存储器。(一般)

  (1)领会:RAM的基本结构。

  (2)识记:单管DRAM存储信息的元件。

  (3)识记:六管SRAM的结构。

  2. 只读存储器。(一般)

  (1)领会:固定ROM的基本结构及简化结构示意图。

  (2)识记: ROM的编程概念。

  (3)识记:EEPROM中的叠栅管的作用。


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