2007年7月自考线性电子电路试题试卷真题

湖北自考网来源：时间：2008-11-08 15:58:04

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浙江省2007年7月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340
一、填空题(本大题共10小题，每空1分，共20分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1.杂质半导体中的多数载流子是由________产生的，少数载流子是由________产生的。
2.利用晶体二极管的________和________特性，可以构成整流、稳压、限幅等各种功能电路。
3.三极管工作在放大区时，各电极之间的电流关系是IC=________IB，IE=________IB。
4.晶体管工作在放大状态时，其发射结的结电容主要是________电容，集电结的结电容主要是________电容。
5.就VGS而言，增强型MOS管是________极性的，而耗尽型MOS管是________极性的。
6.在JFET中，沟道的导电能力受VGS和VDS的控制与MOS管类似，不同的是这种控制是通过改变PN结________中的________来实现的。
7.放大器输入信号为单一频率正弦波，输出为非正弦波，这种失真称为________失真，这时输出信号中将产生________频率成份。
8.直接耦合放大电路中因温度变化引起的漂移称为________。采用电容耦合方式是否存在这种现象？________。
9.放大电路中，引入直流负反馈的作用是________，引入交流负反馈的目的是改善放大器的________。
10.若希望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用________负反馈；若希望负载变化输出电压稳定，则应引入________负反馈。
二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.当PN结外加正向电压时，扩散电流________漂移电流。（）
A.大于 B.小于
C.等于 D.近似等于
2.温度升高时，晶体二极管的VD(on)将（）
A.增大 B.减小
C.不变 D.近似不变
3.当半导体二极管的反向击穿电压大于6V，主要发生何种击穿现象？（）
A.雪崩击穿 B.齐纳击穿
C.热击穿 D.碰撞击穿
4.随着温度的升高，晶体三极管的________将变小。（）
A.β B.VBE(on)
C.ICBO D.ICEO
5.某晶体三极管的iB从20μA变化到40μA时，对应的iC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）
A.100 B.150
C.200 D.300
6.PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）
A.VBE>0,VCB>0 B.VBE>0,VCB<0
C.VBE<0,VCB>0 D.VBE<0,VCB<0
7.若场效应管的偏置电压VGSQ=1V，则该管不可能是一个（）
A.P沟道结型管 B.N沟道结型管
C.P沟道耗尽型MOS管 D.N沟道增强型MOS管
8.当场效应管工作在________区且限制VDS为小值时，可作为阻值受VGS控制的线性电阻器。
（）
A.饱和 B.截止
C.非饱和 D.击穿
9.在差动放大电路中，共模输入信号等于两个输入信号的（）
A.和值 B.差值
C.迭加 D.平均值
10.由PNP管组成的共射放大电路，若测得VCEQ=-VCC，-VCC为电源电压，则可判断该三极管处于（）
A.放大状态 B.饱和状态
C.截止状态 D.击穿状态
11.深度负反馈电路的放大器增益取决于反馈系数，与基本放大器的放大倍数无关，但基本放大器（）
A.可以去掉 B.不能去掉
C.不一定 D.并不重要
12.负反馈放大电路不自激的条件是（）
A.T(ω0)=π,T(ω0)>1 B.T(ω0)=-π,T(ω0)>1
C.T(ω0)=π,T(ω0)=1 D.T(ω0)=-π,T(ω0)<1
13.对于电流串联负反馈而言，下列哪个回答是正确的？（）
A.输入电阻变大，输出电阻变大 B.输入电阻
......
......

结束

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